近几天，Intel发布了开疆辟土的IDM2.0发展战略，将项目投资200亿美金基本建设二座半导体材料芯片加工，7nm工艺要在2023年批量生产，总体目标是要重返半导体材料领先水平。

在14nm连接点以前，尤其是22nm先发三维晶体管FinFET工艺以后，Intel在2014年以前能够说成全世界最优秀的半导体材料加工厂，官方网PPT以前表明她们领跑同行最少3.5年，充分考虑那时候三星、台积电的状况，Intel此话不假。

自然，这几年状况发生变化，14nm工艺尽管特性非常好，可是从2014到现在都用了七年了，台积电三星这几年中但是从28nm一路升級到5nm工艺，2020年都需要批量生产3nm工艺了。

Intel2020年的主要会是10nm，下一个连接点7nm预计是2021年，但是改档到2023年，第一款CPU商品将是MeteorLake，2020年Q2一季度会Tapein，也就是进行设计方案工作中，将要进到流片环节。

那Intel的7nm工艺究竟怎样？如今还没有确立信息，但是业内大型网站Anandtech的小编IanCutress发布了一些数据信息，比照了不一样工艺的晶体管相对密度，以下所显示：

台积电的5nm工艺相对密度是1.71亿晶体管/mm2，3nm工艺可以达到2.9亿晶体管/mm2，而Intel的10nm工艺是1.01亿晶体管/mm2，7nm连接点可以达到2-2.五亿晶体管/mm2。

比照得话，Intel的7nm工艺按最大水准看来，十分贴近台积电的3nm工艺，就算在2023年面世，有这一水准得话都不比台积电差是多少，不象如今那样14nm、10nm工艺被7nm、5nm名列前茅。

自然，之上全是極限水准，具体主要表现也要看CPU的详细情况，仅仅如今这一数据信息足够表明Intel的7nm工艺不可小觑，耐心等待2年，也许Intel确实王者回归了。